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Circuit intégré 25a TO-3P V, TO263, 5/10 pièces, RJP30H2A RJP63K2 1200 FGA25N120, IGBT

USD 13.39USD 19.99

Circuit intégré 25a TO-3P V, TO263, 5/10 pièces, RJP30H2A RJP63K2 1200 FGA25N120, IGBT

Description

Transistor

Transistor Kit

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Capteur Transistor

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Puissance Transistor

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Amplificateur Transistor

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LDO Transistor

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Tension Régulateur Transistor

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FET (Mosfet IGBT)

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Darlington Transistor

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SCR Transistor

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NPN PNP Transistor

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5/10 pièces TO-263 RJP30H2A RJP63K2 TO-3P FGA25N120 effet de champ Transistor IGBT Fets haute puissance 25A 1200V Circuits intégrés BJT
Si vous avez des questions sur le produit et avez besoin de réponses, veuillez nous contacter.
Type de produit: IGBT FET, Transistor haute puissance IGBT
Marque: Chanzon
Boîtier de l'emballage: TO-263/TO-3P
TO-263 IGBT FET: 10PCS * RJP30H2A 10PCS * RJP63K2
Transistor haute puissance IGBT TO-3P: 5PCS * FGA25N120

Specification

Origine : CN (Origine)

Condition : Nouveau

Personnalisé : Oui

Numéro de Modèle : RJP30H2 TO 263 TO 3P TO3P 35A 360V Bipolar Junction Power SMD Triode

Nom de marque : CHANZON

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